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晶片級器件、芯片X射線輻照儀

晶片級器件、芯片X射線輻照儀

更新時(shí)間:2024-07-23

產(chǎn)品型號:CHIRAD165

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

生產(chǎn)地址:

產(chǎn)品報(bào)價(jià):

產(chǎn)品特點(diǎn):用途:該儀器可適用不同種類器件的輻照,適用于器件輻射效應(yīng)提參建模的試驗(yàn)平臺,在器件設(shè)計(jì)、流片階段給出加固建議,評估抗輻射性能。為晶片級器件輻照、提參提供試驗(yàn)條件,形成面向抗輻射器件研制全過程的輻射效應(yīng)試驗(yàn)評估、提參建模共性技術(shù)服務(wù)平臺,為元器件設(shè)計(jì)加固工藝的發(fā)展提供試驗(yàn)技術(shù)支撐。

產(chǎn)品詳情

晶片級器件、芯片X射線輻照儀

用途:該儀器可適用不同種類器件的輻照,適用于器件輻射效應(yīng)提參建模的試驗(yàn)平臺,在器件設(shè)計(jì)、流片階段給出加固建議,評估抗輻射性能。為晶片級器件輻照、提參提供試驗(yàn)條件,形成面向抗輻射器件研制全過程的輻射效應(yīng)試驗(yàn)評估、提參建模共性技術(shù)服務(wù)平臺,為元器件設(shè)計(jì)加固工藝的發(fā)展提供試驗(yàn)技術(shù)支撐。

  系統(tǒng)參數(shù)

1. X射線球管最高電壓:160kV

2. 線束角度: 40°

3. 系統(tǒng)最大功率:6000W

4. X射線球管焦點(diǎn)尺寸:5.5 mm

5. 可調(diào)整照射距離(SSD):OEM,以最終設(shè)計(jì)為準(zhǔn)

6. 劑量控制:配置實(shí)時(shí)劑量監(jiān)控儀,劑量率、累積劑量,輻照時(shí)間實(shí)時(shí)顯現(xiàn)。劑量率檢測范圍最大>600gy/min。

7. 冷卻器:集成的閉合回路熱交換器

8. 載物臺:電動操作

9. 控制:PLC控制

10. 儀器具備門機(jī)連鎖和警示燈,確保使用安全性。

11. 同軸槽型常高溫吸附卡盤(OEM)

12. 卡盤XY位移平臺,Z軸快速升降,帶微調(diào)升降,卡盤可旋轉(zhuǎn)±45°

13. PSM1000顯微鏡、HDMI接口高清(200萬像素)CCD(可選配其他)

14. 顯微鏡XY位移平臺2"*2"

15. 防震桌900mm*800mm(最終尺寸以實(shí)際為準(zhǔn))

16. 三軸接口探針座

17. 空氣壓縮機(jī)

18. 可選配高低溫同軸卡盤、半自動探針臺、干燥空氣系統(tǒng)等。





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